KVVP2-22控制電纜中銅帶屏蔽工藝
屏蔽所用的銅帶須***是韌煉充分的軟銅帶，兩邊不允許有卷邊或裂口等缺陷。銅帶太硬會(huì )割破外半導電層，太軟也容易發(fā)皺。繞包時(shí)，繞包頭角度要調好，包帶張力控制適當,避免張力過(guò)緊。因電纜通電時(shí)，絕緣會(huì )發(fā)熱而有所膨脹，若銅帶繞的太緊話(huà),有可能造成銅帶嵌入絕緣屏蔽，或繃斷銅帶。屏蔽機收線(xiàn)盤(pán)的兩側應用軟質(zhì)材料襯墊，否則,容易造成兩側銅帶在本道或下道工序軋傷，嚴重時(shí)，破裂銅帶會(huì )刺入外屏蔽乃至絕緣,造成擊穿。銅帶接頭應采用點(diǎn)焊，不宜采用錫焊,更不能采用插接或膠帶粘結或其他的一些等不規范操作。
銅帶搭蓋繞包形式，在電纜運行時(shí)金屬屏蔽層間由于其接觸面產(chǎn)生氧化物，以及彎曲冷熱變形后減少了接觸壓力，會(huì )造成接觸電阻成倍增加，影響短路電流的容量和短路電流的導通。接觸不佳再加上熱脹冷縮彎曲變形，將會(huì )直接損傷外半導電層。銅帶金屬屏蔽應與半導電層緊密接觸，使之良好接地，但由于過(guò)熱膨脹會(huì )導致銅帶弓形膨脹變形以及半導電層損傷，所有的這些情況造成的不佳接地均會(huì )使電纜局放性能下降。
如果銅帶屏蔽層斷裂或銅帶接頭處焊接不佳導致斷裂，則有可能從銅帶屏蔽層非接地端流向接地端的充電電流會(huì )在銅帶屏蔽層斷裂處強行通過(guò)外半導電層流過(guò)，該處外半導電層發(fā)熱，溫度上升。此時(shí)溫度會(huì )很高，使銅帶屏蔽層斷裂處的外半導電層急劇老化。如果上述狀態(tài)持續繼續發(fā)展，外半導電層的電阻進(jìn)一步增大，在銅帶屏蔽層斷裂處，銅帶屏蔽層非接地端與接地端之間產(chǎn)生的電位差的作用下，產(chǎn)生的放電現象進(jìn)一步加速電纜從絕緣體表層開(kāi)始老化。因此，在銅帶屏蔽層斷裂后，其斷裂處電纜絕緣會(huì )在較短時(shí)間內產(chǎn)生老化，直至絕緣破壞。由此可見(jiàn)銅帶屏蔽工藝在中壓電纜生產(chǎn)過(guò)程中也是相當重要的。
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